"Патентоп" – информация из открытых реестров Роспатента

16-ти площадочный кремниевый фотодиод

Статус
Актуально
Название
16-ти площадочный кремниевый фотодиод
Регистрационный номер
2015630096
Дата регистрации
29 сентября 2015 года
Авторы
Правообладатели
Акционерное общество «Московский завод «САПФИР»
Дата подачи заявки
21 мая 2015 года
Номер заявки
2015630041
Дата публикации
20 октября 2015 года
Номер публикации
10

Ссылка на источник в ФИПС
www1.fips.ru/fips_servl/fips_servlet?DB=TIMS&DocNumber=2015630096
Информация получена из открытого реестра топологий интегральных микросхем
и актуальна на 26 декабря 2019 года.

Дополнительно

(12) ГОСУДАРСТВЕННАЯ РЕГИСТРАЦИЯ
ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ

Название топологии интегральной микросхемы:
16-ти площадочный кремниевый фотодиод

Реферат:
16-ти площадочный кремниевый фотодиод предназначен для регистрации излучения в спектральном диапазоне 0,4-1,2 мкм, применяется в фотовольтаическом режиме включения в системах отображения рельефа при низких уровнях засветки. Фотодиод выполнен на пластине n-типа проводимости и содержит 16 площадок слоя р+ -типа, легированных бором, размером 1,4x1,4 мм, расположенных в «линейку» с шагом 1,55 мм. По центрам зазоров между р+ -n переходами располагаются линии слоя n+-типа, легированного фосфором, шириной 0,05 мм и с длиной, превосходящей размер площадки, являющиеся омическими контактами к базе фотодиода и выполняющие функции «барьера» для перехода фотоносителей от одной площадки к другой. Линии слоя n+-типа объединены единым электродом контактного слоя Al, имеющего вид «меандра», охватывающего площадки с 3-х сторон и лежащего между площадками на n+ слое, а вдоль линии площадок - на защитном слое. Контактный слой содержит также электроды, являющиеся выводами от каждой площадки. На поверхности кристалла имеются метки совмещения. Фотодиод выполнен по планарной технологии. Исходная пластина перед началом формирования рисунков топологии покрыта защитным слоем диэлектрика (SiO2).

Извещения об изменениях сведений о зарегистрированной топология интегральной микросхемы

Изменение наименования, фамилии, имени, отчества правообладателя

Контактные реквизиты

нет

Правообладатель:

Акционерное общество «Московский завод «САПФИР» (RU)

Дата внесения записи в Реестр: 23.11.2017

Дата публикации: 23.11.2017 Бюл. №

Смотрите также