"Патентоп" – информация из открытых реестров Роспатента

Топология интегральных микросхем интерфейсных элементов ввода-вывода, разработанных на базе полупроводниковой технологии КНИ 250 нм с четырьмя слоями металлизации, напряжением питания 3.3 В и толерантных к входному сигналу с амплитудой до 5.0 В.

Статус
Актуально
Название
Топология интегральных микросхем интерфейсных элементов ввода-вывода, разработанных на базе полупроводниковой технологии КНИ 250 нм с четырьмя слоями металлизации, напряжением питания 3.3 В и толерантных к входному сигналу с амплитудой до 5.0 В.
Регистрационный номер
2017630060
Дата регистрации
21 февраля 2017 года
Дата истечения срока действия
21 февраля 2027 года
Авторы
Правообладатели
Акционерное общество «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»
Дата подачи заявки
23 декабря 2016 года
Номер заявки
2016630170
Дата публикации
21 февраля 2017 года
Номер публикации
3

Ссылка на источник в ФИПС
www1.fips.ru/fips_servl/fips_servlet?DB=TIMS&DocNumber=2017630060
Информация получена из открытого реестра топологий интегральных микросхем
и актуальна на 26 декабря 2019 года.

Дополнительно

(12) ГОСУДАРСТВЕННАЯ РЕГИСТРАЦИЯ
ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ

Название топологии интегральной микросхемы:
Топология интегральных микросхем интерфейсных элементов ввода-вывода, разработанных на базе полупроводниковой технологии КНИ 250 нм с четырьмя слоями металлизации, напряжением питания 3.3 В и толерантных к входному сигналу с амплитудой до 5.0 В.

Реферат:
Топология предназначена для проектирования периферийной части цифровых интегральных схем, функционирующих при напряжении питания 3.3 В и диапазоне амплитуды входных сигналов от 3.3 В до 5.0 В. Периферийная часть цифровых интегральных схем обеспечивает передачу информационных сигналов от внешних устройств в ядро разрабатываемой схемы и обратно. Топология является универсальной и предназначена для проектирования широкого спектра цифровых интегральных схем в базисе технологии КНИ 250 нм с четырьмя слоями металлизации независимо от их функционального назначения. Разработанные элементы ввода-вывода характеризуются следующими основными параметрами: напряжение питания 3.3±10% В; амплитуда входного сигнала от 3.3±10% В до 5.0±10% В; частота функционирования ячеек ввода-вывода не менее 50 МГц; уровень защиты элементов ввода-вывода от ЭСР 1 кВ.

Смотрите также