"Патентоп" – информация из открытых реестров Роспатента

Кристалл кремниевых pin-фоточувствительных элементов большой площади

Статус
Актуально
Название
Кристалл кремниевых pin-фоточувствительных элементов большой площади
Регистрационный номер
2018630183
Дата регистрации
30 октября 2018 года
Дата истечения срока действия
30 октября 2028 года
Авторы
Правообладатели
Акционерное общество «НПО «Орион»
Дата подачи заявки
26 сентября 2018 года
Номер заявки
2018630164
Дата публикации
30 октября 2018 года
Номер публикации
11

Ссылка на источник в ФИПС
www1.fips.ru/fips_servl/fips_servlet?DB=TIMS&DocNumber=2018630183
Информация получена из открытого реестра топологий интегральных микросхем
и актуальна на 26 декабря 2019 года.

Дополнительно

(12) ГОСУДАРСТВЕННАЯ РЕГИСТРАЦИЯ
ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ

Название топологии интегральной микросхемы:
Кристалл кремниевых pin-фоточувствительных элементов большой площади

Реферат:
Интегральная микросхема «Кристалл кремниевых pin-фоточувствительных элементов большой площади» с регистрируемой топологией предназначена для регистрации излучения на длине волны 1,06 мкм в фотоприемных устройствах для координатных систем. Интегральная микросхема содержит 4 активные площадки площадью 37,2 мм2 каждая. Зазор между площадками составляет 0,2 мм. Вокруг фоточувствительных площадок на расстоянии 0,2 мм расположено охранное кольцо шириной 0,2 мм. Особенностью интегральной микросхемы является большой размер фоточувствительных площадок и их разворот на 22,5° относительно центральных осей кристалла. Интегральная микросхема включает в себя: стоп-область р-типа проводимости; 4 фоточувствительные площадки и охранное кольцо п+-типа проводимости; контактные окна и металлические контакты к фоточувствительным площадкам и охранному кольцу; тестовые элементы для контроля электрофизических характеристик слоев; метки для совмещения слоев при фотолитографической обработке. Интегральная микросхема изготавливается по планарной технологии.